一种AlGaN基深紫外发光二极管及其制备方法.pdfVIP

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2023-11-01 发布于四川
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一种AlGaN基深紫外发光二极管及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种AlGaN基深紫外发光二极管及其制备方法，属于半导体光电二极管技术领域，从下至上依次包括衬底、缓冲层、n型半导体电子注入层、多量子阱有源层、p型电子阻挡层、界面势垒调控层、p型半导体空穴注入层、p型接触层、p型电极、n型电极。本发明电子阻挡层/调控层界面以及调控层/空穴注入层界面间会产生负极化诱导电荷，吸引空穴聚集，使得电子阻挡层与空穴注入层之间形成“M”状的空穴聚集区。同时，调控层能够减小电子阻挡层和空穴注入层之间的价带偏移使得两者间的界面势垒高度降低，让更多的载流子能够翻越电子

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116978998 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202310911505.2 (22)申请日 2023.07.24 (71)申请人山东大学地址 250000 山