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2023-11-01 发布于四川
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半导体元件及其应用.pdf

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本发明公开一种具有n‑i‑p半导体接面外延结构的增强型高电子迁移率晶体管形式的半导体元件。半导体元件包含沟道层及形成于沟道层上的障蔽层。二维电子气(two‑dimensionalelectrongas，2DEG)形成于邻近沟道层与障蔽层的界面的沟道层中。栅极电极设置于障蔽层上。半导体接面结构夹设于栅极电极与障蔽层之间。半导体接面结构包括掺入第一掺杂物且与栅极电极直接接触的第一区域、掺入与第一掺杂物不同的第二掺杂物的第二区域、以及夹设于第一区域与第二区域之间且为非刻意掺杂的第三区域。半导体接面

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116978939 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202310478427.1 (22)申请日 2023.04.28 (30)优先权数据 17/732,800 2022

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