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中文摘要
近年来，二维过渡金属双卤化合物由于独特的带结构和优异的物理性能，受到人们的
广泛关注。二维材料块体结构是直接带隙半导体，而单层结构是一种间接带隙半导体。这
种带隙跃迁使其成为一种很有前途的潜在材料，在电子，光电子，传感器等领域有广阔的
应用前景。MoS 作为过渡金属双卤化合物的一员，由于独特的光学性质和优异的电学性能
2
受到研究人员的广泛关注。与MoS2 相比，MoSe2 的层间相互作用更强，具有更低的带隙
和更好的稳定性。MoSe 比MoS 更适用于隧道场效应晶体管的
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