发光二极管及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-11-04 发布于四川
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提供了一种制造发光二极管(LED)的方法。所述方法包括:在衬底上形成n型半导体层;在n型半导体层的第一区域中形成n型电极;在n型半导体层的第二区域中形成有源层,第二区域是除第一区域以外的区域;在有源层上形成p型半导体层;以及通过蚀刻有源层和p型半导体层的区域来形成电阻层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111194484 A (43)申请公布日 2020.05.22 (21)申请号 20188

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