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本发明公开了一种电压钳位型碳化硅槽栅MOSFET器件及其制造方法，包括：漏极金属电极、源极金属电极、第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、第一导电类型引流区、第二导电类型引流区、第二导电类型阱区、第二导电类型沟道区、特征沟槽、第一导电类型结型区、第二导电类型源区、介质层，位于特征沟槽侧壁、第二导电类型沟道区侧面的栅介质层；位于特征沟槽侧壁、栅介质层侧面且横跨第一导电类型引流区、第二导电类型沟道区和第一导电类型源区的栅极；本发明可提升沟槽型SiCMOSFET器件栅介质使用可靠性，降低导通电阻。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116995099 A
(43)申请公布日 2023.11.03
(21)申请号 202311153998.4 H01L 21/336 (2006.01)
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