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- 2023-11-04 发布于四川
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[问题]提供一种半导体器件、一种电子设备和一种用于制造半导体器件的方法，其中，不管栅电极的形状如何，由RTN引起的影响都减小。[解决方案]一种半导体器件，其设置有：基板，其具有元件区域和元件分离区域，所述元件区域包括源极区和漏极区，其中，在源极区和漏极区之间存在沟道区，所述元件分离区域相对于与设置源极区、沟道区和漏极区的方向正交的方向至少设置在两侧；栅极绝缘膜，其至少从元件分离区域的一侧到另一侧设置在基板的元件区域上；以及栅电极，其设置在栅极绝缘膜上。所述栅极绝缘膜包括杂质。包括元件区域和元件分
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111052324 A
(43)申请公布日
2020.04.21
(21)申请号 20188
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