包括与超晶格STI界面相邻的非单晶纵梁的半导体器件和方法.pdfVIP

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  • 2023-11-04 发布于四川
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包括与超晶格STI界面相邻的非单晶纵梁的半导体器件和方法.pdf

半导体器件可以包括半导体基板以及其中的第一和第二间隔开的浅沟槽隔离(STI)区域,以及在半导体基板上并且在第一和第二STI区域之间延伸的超晶格。超晶格可以包括多个堆叠的层组,其中每个层组包括限定基础半导体部分的多个堆叠的基础半导体单层,以及被约束在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。半导体器件还可以包括第一半导体纵梁和在超晶格上方的栅极,该第一半导体纵梁在超晶格的第一端与第一STI区域之间的界面处包括非单晶主体。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111247640 A (43)申请公布日 2020.06.05 (21)申请号 20188

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