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具有通过对超晶格退火形成的包埋绝缘层的半导体器件的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-11-04 发布于四川
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具有通过对超晶格退火形成的包埋绝缘层的半导体器件的制造方法.pdf

    一种用于制造半导体器件的方法，可包括在半导体衬底上形成超晶格，所述超晶格包括各自的多个堆叠的层组。每个层组可包括多个堆叠的基础半导体单层，其限定出基础半导体部分，以及约束在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。另外，来自相对的基础半导体部分的至少一些半导体原子可通过其间的至少一个非半导体单层化学键合在一起。该方法可以进一步包括在超晶格上外延形成半导体层，和对所述超晶格退火以便形成包埋绝缘层，在所述包埋绝缘层中至少一些半导体原子不再通过其间的至少一个非半导体单层化学键合在一起。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111133582 A (43)申请公布日 2020.05.08 (21)申请号 20188

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