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- 2023-11-04 发布于四川
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半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有第一主面(110A)和第二主面(110B)；第一电极(131)，设置于半导体基板(110)的第一主面(110A)侧；电介质层(120)，设置在半导体基板(110)与第一电极(131)之间；第二电极(132)，设置于半导体基板(110)的第二主面(110B)侧；以及电阻控制层(160)，设置在半导体基板(110)与第二电极(132)之间。电阻控制层(160)具备：将半导体基板(110)和第二电极(132)电连接的第一区域(161)；以及与第一区域
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111279466 A
(43)申请公布日
2020.06.12
(21)申请号 20188
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