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- 2023-11-08 发布于四川
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本发明涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种BAW滤波器晶圆级封装方法。本发明所述封装方法包括提供BAW晶圆;在硅晶圆的表面制备图案化的干膜;通过图案化的干膜,将得到的包括干膜的硅晶圆和BAW晶圆贴合后进行晶圆级键合;贴合的过程中图案化的干膜不覆盖工作区域对应的BAW晶圆表面区域和金属焊垫;将晶圆级键合后的硅晶圆进行刻蚀形成硅穿孔使金属焊垫暴露出来;在硅晶圆的非硅穿孔区域沉积金属种子层后,在硅穿孔中电镀Cu后,在Cu表面电镀凸点,形成晶圆级封装的BAW滤波器;电镀凸点的过程不进行回流焊。所述封装方
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117013974 A
(43)申请公布日 2023.11.07
(21)申请号 202311286176.3
(22)申请日 2023.10.08
(71)申请人 深圳新声半导体有
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