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本发明实施例提供一种半导体结构的制备工艺和制备设备，具体涉及PMOS和/或NMOS晶体管的制备，所述工艺包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上沉积多晶硅；在与沉积多晶硅相同的设备中进行p型或n型形成元素掺杂注入。所述设备包括：壳体以及位于壳体内的第一腔室、第二腔室和传输结构；第一腔室用于沉积多晶硅；第二腔室用于等离子掺杂注入；传输结构用于将被处理物从第一腔室传输至第二腔室。本发明利用改进后的等离子掺杂设备实现了在同一个设备中分别进行了多晶硅的沉积和等离子注入过程，大幅节省工序，且减少了
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117012639 A
(43)申请公布日 2023.11.07
(21)申请号 202210468310.0
(22)申请日 2022.04.29
(71)申请人 中国科学院微电子
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