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- 2023-11-08 发布于四川
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本发明公开了一种高温钕铁硼永磁体及其晶界扩散制备方法,包括Nd‑Fe‑B磁体和沉积在Nd‑Fe‑B磁体表面的扩散物层,扩散物层按照原子比例包括RE100‑x‑yCoxMy,0<x<70,20<y<40,精确称取RE、Co、M三种物质的单质;将三种物质的单质进行混合熔炼;将熔炼后的合金破碎成粉末并涂覆到Nd‑Fe‑B磁体表面;将得到的磁体进行晶界扩散处理;高温扩散后得到高温钕铁硼永磁体。本发明采用上述的一种高温钕铁硼永磁体及其晶界扩散制备方法,通过配置特定比例的扩散源进行熔炼、涂覆和扩散处理,不仅
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117012537 A
(43)申请公布日 2023.11.07
(21)申请号 202311166479.1
(22)申请日 2023.09.11
(71)申请人 杭州电子科技大学
地址 3100
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