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本公开是关于半导体技术领域，涉及一种反熔丝结构及其形成方法、存储器，该反熔丝结构包括衬底、第一氧化层、隔离层、第二氧化层、第一栅极层及第二栅极层，其中：衬底上形成有有源层，有源层包括间隔排布的第一沟道区和第二沟道区；第一氧化层，覆盖有源层的侧壁；第一沟道区的有源层的侧壁上的第一氧化层的厚度小于第二沟道区的有源层的侧壁上的第一氧化层的厚度；隔离层，位于第一氧化层的远离有源层的一侧；第二氧化层，位于隔离层的远离第一氧化层的一侧；第一栅极层，位于第一沟道区的有源层的顶部；第二栅极层，位于第二沟道区的有
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117015243 A
(43)申请公布日 2023.11.07
(21)申请号 202210457767.1
(22)申请日 2022.04.27
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 23
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