一种SiBc8量子点薄膜的制备方法.pdfVIP

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2023-11-08 发布于四川
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一种SiBc8量子点薄膜的制备方法.pdf

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本申请涉及一种SiBc8量子点薄膜的制备方法，通过电子束蒸发镀膜法在基体上沉积非晶硅薄膜，非晶硅的表面有晶体小面，为得到含有SiBc8相的量子点薄膜，在非晶硅薄膜上运用磁控溅射法沉积氧化钽薄膜，氧化钽与非晶硅相互接触，可诱导非晶硅薄膜沿(111)晶面择优生长为纳米晶硅薄膜，再运用电子束蒸发镀膜法在氧化钽薄膜表面沉积金属钽薄膜，金属钽可以对纳米晶硅薄膜的表面施加残余应力，使得纳米晶硅薄膜晶硅晶格内的Si‑Si键角增大，由Si‑I相相变为SiBc8相，纳米晶硅/氧化钽/金属钽叠层膜经退火和酸洗后获得

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117004910 A (43)申请公布日 2023.11.07 (21)申请号 202310992206.6 (22)申请日 2023.08.08 (71)申请人宁夏大学