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                本实用新型涉及一种高散热的新型封装结构,包括第一芯片、第二芯片、第一基岛、第二基岛、第一引脚、多个第二引脚和塑封体,第一芯片的发热量大于第二芯片,第一芯片设置在第一基岛上,第二芯片设置在第二基岛上,第一引脚与第一基岛一体成型。采用双基岛设计,第一芯片产生的热量通过第一基岛快速传递给第一引脚,第一引脚再传递给PCB板,所以第一芯片的发热量允许较大;第二芯片设置在第二基岛上,主要通过塑封体向外散热,第二芯片发热量较小,不会导致温升过高。第一基岛和第二基岛侧面都可以设置多个引脚,满足大部分芯片对接口数
                    
   (19)国家知识产权局 
                             (12)实用新型专利 
                                                     (10)授权公告号 CN 219979566 U 
                                                     (45)授权公告日 2023.11.07 
   (21)申请号  202321277738.3                   H01L  23/367 (2006.01) 
   (22)申请日  2023.05
                
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