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本发明涉及一种7nm及以下节点WET制程颗粒监控用途硅抛光片的加工工艺，所属半导体用硅抛光片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：推测抛光过程和反复清洗过程中形成线型隆起状缺陷。第二步：硅片经CMP抛光及CMP后洗净后进行高温氩气氛短时退火，然后反复清洗20次，每清洗5次检测一次SP7。第三步：硅片经CMP抛光及CMP后洗净后直接进行20次反复清洗，每清洗5次检测一次SP7。第四步：对实验工艺和参照工艺中LLS的变化量进行比较。第五步：快速退火对消除抛光导致的微应力是有效的。第六步：将实验工艺
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117001429 A
(43)申请公布日 2023.11.07
(21)申请号 202310872777.6
(22)申请日 2023.07.17
(71)申请人 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
地
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