半导体器件物理II-试卷以及答案.docVIP

PAGE 第PAGE 6页 共 6页 西安电子科技大学 考试时间 120 分钟 《半导体物理2》试题 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 分数 考试形式：闭 卷； 考试日期： 年 月 日 本试卷共 二 大题，满分100分。 班级 学号 姓名 任课教师 问答题（80分） 1.什么是N型半导体？什么是P型半导体？如何获得？ 答：①依靠导带电子导电的半导体叫N型半导体，主要通过掺诸如P、Sb等施主杂质获得；②依靠价带空穴导电的半导体叫P型半导体，主要通过掺诸如B、In等受主杂质获得；③掺杂方式主要有扩散和离子注入两种；经杂质补偿半导体的导电类型取决于其掺杂浓度高者。 2.简述晶体管的直流工作原理（以NPN晶体管为例） 答：根据晶体管的两个PN结的偏置情况晶体管可工作在正向放大、饱和、截止和反向放大模式。实际运用中主要是正向放大模式，此时发射结正偏，集电结反偏，以NPN晶体管为例说明载流子运动过程； ①射区向基区注入电子；正偏的发射结上以多子扩散为主，发射区向基区注入电子，基区向发射区注入空穴，电子流远大于空穴流； ②基区中自由电子边扩散边复合。电子注入基区后成为非平衡少子，故存在载流子复合，但因基区很薄且不是重掺杂，所以大部分电子能到达集电结边缘； ③集电区收集自由电子：由于集电结反偏，从而将基区扩散来的电子扫入集电区形成电子电流，另外还存在反向饱和电流，主要由集电区空穴组成，但很小，可以忽略。 简述MOS场效应管的工作特性（以N沟增强型MOS为例） 答：把 MOS管的源漏和衬底接地，在栅极上加一足够高的正电压，从静电学的观点来看，这一正的栅极电压将要排斥栅下的P 型衬底中的可动的空穴电荷而吸引电子。电子在表面聚集到一定浓度时，栅下的P 型层将变成N 型层，即呈现反型。N 反型层与源漏两端的 N 型扩散层连通，就形成以电子为载流子的导电沟道。如果漏源之间有电位差，将有电流流过。而且外加在栅极上的正电压越高，沟道区的电子浓度也越高，导电情况也越好。如果加在栅极上的正电压比较小，不足以引起沟道区反型，则器件仍处在不导通状态。引起沟道区产生强表面反型的最小栅电压，称为阀值电压。 4.画出MOS场效应管的工作曲线，并用文字说明各区域（以N沟增强型MOS为例） 截止区：VGS小于等于零，此时源漏之间的电流近似为零。 线性区：VGS取一定的正电压，形成导电沟道。此时IDS与VDS成正比，对应曲线OA范围，即线性区。 过渡区：VDS增大到一定程度时，沟道变窄，沟道电阻增大，IDS随VDS增加趋势变缓，对应曲线BC范围。 饱和区：VDS继续增大到一定值使沟道夹断，此时VDS继续增大IDS基本保持不变，即达到饱和。 击穿区：如果VDS再继续增加，使漏端PN结反偏电压过大，导致PN结击穿，使MOS晶体管进入击穿区。 5.晶体管的基极宽度会影响那些参数？为什么？ 答：①影响电流增益，定性分析Wb越小，基区输运系数越大，从而电流增益越大；②影响基区穿通电压，Wb越小，越容易发生基区穿通现象；③影响特征频率fT，Wb越小，基区渡越时间越小，从而可提高特征频率；④影响基区串联电阻Rb，Wb越小，基区串联电阻Rb越大，另外宽基区晶体管不易引起电流集边效应。 6.双极IC和MOS IC的隔离有何不同？ 答：①双极IC隔离：a.PN结隔离，分为标准PN结隔离，PN结对通隔离和集电极扩散隔离；b.介质-PN结混合隔离，主要是等平面氧化隔离；c.介质隔离，有标准SiO2-多晶硅介质隔离和正沟槽介质隔离； ②MOS IC 隔离：a.自隔离，由于MOS源漏与衬底导电类型不同，所以本身就是被PN结隔离；b.由于标准场氧化隔离容易使寄生场效应晶体管开启，所以通常采用局部氧化工艺（LOCOS），有两种改进工艺:侧墙掩蔽的隔离工艺和浅槽隔离。 7.PN结的寄生电容有几种，形成机理，对PN结的工作特性及使用的影响？ 答：有两种①势垒电容：随着PN结外加电压的变化，势垒区得宽度会发生变化，从而出现了载流子电荷在势垒区的存入和取出，相当于一个电容的充放电；②扩散电容：PN结两侧的扩散区中，由于电中性要求，其中存储的正负电荷的数量会随外加电压发生变化，相当于一种电容效应，称之为扩散电容。一般情况下，PN结电容等于两者之和，正偏时扩散电容为主，反偏时势垒电容为主。PN结电容会影响其高频特性（fT）、开关（速度）特性。 画出集成双极晶体管和集成MOSFET的纵向剖面图 以P-type为例，画出双阱CMOS纵向结构图，要求基本文字说明 写出阈值电压（VT）的计算公式，并从掺杂浓度和氧化层电荷两方面，说明阈值电压（VT）影响因