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一种改善硅片电阻率性能的预处理方法，包括步骤1：利用研磨机对硅片表面进行打磨，以使硅片表面平整；步骤2：将打磨好的硅片浸没在预先制备的碱腐蚀液中进行碱洗；步骤3：将碱洗后的硅片浸没在预先制备的混酸溶液中进行第一次酸洗；步骤4：对酸洗后的硅片进行氧化热处理和快速冷却，以去除硅片中的热施主；步骤5：将冷却后的硅片通过混酸溶液进行第二次酸洗，得到用于进行电阻率性能测试的硅片。本方案能够提高硅片的电阻率稳定性，并能够通过去热施主的方式还原出硅片的真实电阻率，提高硅片电阻率检测的准确性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038428 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310724899.0
(22)申请日 2023.06.19
(71)申请人 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
地
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