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本发明公开了一种参考电路,包括:采用分离栅浮栅器件的参考单元,分离栅浮栅器件包括:第一和第二源漏区,位于第一和第二源漏区之间的多个分离的具有浮栅的第一栅极结构,位于第一栅极结构之间的第二栅极结构。参考单元用于提供第一参考电流。在提供第一参考电流时,各浮栅都处于编程状态,各浮栅顶部的控制栅都连接在一起并连接第一控制栅电压。利用第一控制栅电压大小不同时第一参考电流的温度系数不同的特点,通过设置第一控制栅电压的大小来设置第一参考电流的温度系数。本发明还公开了一种参考电路的偏置方法。本发明能对所提供的参
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117037888 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310810498.7
(22)申请日 2023.07.04
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地
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