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本发明提供了一种简易硅基垂直互连封装方法、装置及基板,该方法包括:对垂直互连硅基板进行加工前准备工艺;在硅基板上涂胶、光刻、各向异性刻蚀通孔以及制作绝缘层,以在硅基板上形成通孔,且硅基板的上下表面以及通孔内表面覆盖绝缘层;在硅基板下表面制作键合区域,以及将硅基板下表面与被封装芯片键合;在硅基板上表面及通孔中制作互连金属层;将硅基板上表面的互连金属层图形化,以在互连金属层上制作出金属互连线和/或金属互连区。本发明实施例需要的光刻掩模板数量相较于传统TSV互连方案更少,且无需干法刻蚀通孔等工艺,降低
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038575 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310857074.6
(22)申请日 2023.07.13
(71)申请人 北京细胞膜科技有限公司
地址 1
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