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本发明提供一种屏蔽栅场效应晶体管的制备方法。该屏蔽栅场效应晶体管的制备方法包括：提供具有第一沟槽的基底，屏蔽栅填充在第一沟槽的下部，屏蔽栅的顶部凸出沟槽内的第一介电层；在基底上形成覆盖屏蔽栅顶部的第一氧化层，第一氧化层的表面与第一介电层的表面相接并构成第二尖角；在第一沟槽内形成填充第二尖角底部的半导体材料层；执行热氧化工艺，在第一沟槽内形成第二氧化层，同时将半导体材料层氧化为第三氧化层；在第一沟槽内填充形成栅电极。如此可以有效控制栅电极底部的形貌，改善屏蔽栅场效应晶体管的高温栅偏失效问题，且工艺
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038462 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202311164891.X
(22)申请日 2023.09.11
(71)申请人 绍兴中芯集成电路
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