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本申请公开了一种常关型P型氮化镓器件及其制作方法。方法包括：提供一氮化镓器件半成品；在GaN沟道层上依次形成第一ALGaN势垒层以及第一钝化层；通过湿法腐蚀部分去除第一钝化层，形成待生长区；在待生长区以外的区域形成第二ALGaN势垒层；通过湿法腐蚀去除待生长区的第一钝化层，使待生长区的第一ALGaN势垒层外露；在待生长区以外的区域形成第二钝化层；在待生长区上外延生长形成P型氮化镓层；P型氮化镓层为氮化镓器件的栅极；采用湿法腐蚀工艺，去除第二钝化层；在GaN沟道层上形成氮化镓器件的源极以及漏极，在
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038457 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202311287730.X H01L 21/28 (2006.01)
(22)申请日 2023.10.
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