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本发明公开了一种氮化硼范德华外延大尺寸氮化镓微波材料及生长方法，基于MOCVD等材料生长方式，在衬底表面生长氮化硼二维材料；引入低温氮化铝成核层，实现氮化铝在氮化硼二维材料表面的均匀形核，为后续材料生长提供高密度的成核格点；引入高温铝镓氮成核层，抑制成核层的位错穿透延伸至氮化镓缓冲层，提升缓冲层晶体质量，并促使衬底与外延层间晶格失配应力和热失配应力的相互补偿，实现范德华外延大尺寸氮化镓微波材料应力的有效调控；调制氮化镓缓冲层工艺促使层状外延模式主导缓冲层生长，改善材料表面形貌，同步提升微波材料电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117026370 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202310976333.7
(22)申请日 2023.08.04
(71)申请人 中国电子科技集团公司第五十五研
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