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半导体结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-11-11 发布于四川
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半导体结构及其制备方法.pdf

    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：外延层，外延层包括层叠设置的N型半导体层、发光层以及P型半导体层，外延层内形成有开口，开口将外延层分为多个发光单元；隔离介质层，位于开口表面以及外延层上表面；多个间隔设置的栅极结构，包括于隔离介质层上依次层叠的栅极与栅介质层，栅极结构与发光单元一一对应设置，且栅极结构由隔离介质层侧壁向位于侧壁两侧的隔离介质层表面延伸；有源层，位于栅介质层上，暴露位于开口侧壁的至少一侧的隔离介质层；层间介质层，覆盖有源层、栅极结构以及隔离介质层；电极层，位于层间介质层上

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117038698 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311043479.2 (22)申请日 2023.08.18 (71)申请人 苏州市奥视微科技

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