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- 2023-11-11 发布于四川
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本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、LED，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片包括衬底和依次设于所述衬底上的形核层、本征GaN层、N型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层，所述N型半导体层包括依次层叠的MOO3层、N‑GaN层和热氧化GaN层，其中，所述热氧化GaN层为GaN层经热氧化处理所得；所述MOO3层生长完成后在NH3气氛下进行退火处理；所述热氧化GaN层生长完成后在NH3气氛下进行退火处理。实施本发明，可提升LED的电压分布均匀性，提高抗静电能力和表面平整度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038807 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202311047778.3 H01L 33/00 (2010.01)
(22)申请日 20
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