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- 2023-11-11 发布于四川
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本申请公开了一种非掺杂型太阳电池及其制备方法、电池串及组件,可广泛应用于太阳电池技术领域。本申请设置高功函数材料层作为空穴选择传输层,低功函数材料层作为电子选择传输层,取代传统异质结电池的p型掺杂非晶硅或n型掺杂非晶硅,可以降低或避免前表面掺杂非晶硅的寄生性吸收;同时为避免高或低功函数的半导体材料与本征硅之间发生界面反应影响高低功函数材料的性能,在硅基体和非晶硅形成的异质结上设置一层电介质层,该电介质层也可以起到选择屏蔽非传输目标光生载流子的作用。本申请无需引入掺杂非晶硅,降低了太阳电池制备工艺
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038745 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202311010240.5
(22)申请日 2023.08.11
(71)申请人 中山大学
地址 510275
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