一种硅力敏感芯片及其制备方法、封装方法.pdfVIP

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2023-11-11 发布于四川
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一种硅力敏感芯片及其制备方法、封装方法.pdf

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本发明公开了一种硅力敏感芯片及其制备方法、封装方法，属于敏感元件与传感器领域。所述芯片包括：N型硅基体1、第一介质层2、N型掺杂区域3、P型轻掺杂区域4、P型重掺杂区域5、N型外延层6、第二介质层7、第一引线孔8、金属层9、掩蔽层10、第二引线孔11；本发明芯片既可以选择在CMOS工艺线上进行流片加工，也可以选择在MEMS工艺线上进行流片加工，且采用CMOS工艺具备成本优势；此外本发明的芯片表面无梁、岛、槽、腔体等结构，易于通过吸笔、夹爪等自动化设备进行批量吸取、转移，在对其进行压力传感器封装时

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117030078 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311002712.2 (22)申请日 2023.08.10 (71)申请人无锡胜脉电子有限