一种高引出效率的离子源结构及密封中子管结构.pdfVIP

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2023-11-11 发布于四川
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一种高引出效率的离子源结构及密封中子管结构.pdf

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本发明公开了一种高引出效率的离子源结构及密封中子管结构；由TiT薄膜靶紧贴在封闭外壳的内壁；靶栅网紧靠TiT薄膜靶，在靶栅网与封闭外壳之间加载电压产生负偏压；在放电阳极与放电阴极之间加载电压后产生等离子体；本方案基于现在有的真空弧放电的离子源结构进行结构上的改进，在放电阴极与阳极栅网之间预留空间供等离子体自由膨胀，为等离子体提供开放的膨胀空间，使得放电产生的等离子体大部分都可以膨胀进入加速区获得能量并轰击靶面，从而可以将弧流利用率提高到1％左右，实现中子产额突破1×1010n/s。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117042276 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202310925038.9 (22)申请日 2023.07.26 (71)申请人中国工程物理研究院流体物理研究