一种提升多次外延超结品质因数的器件的制作方法.pdfVIP

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2023-11-15 发布于四川
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一种提升多次外延超结品质因数的器件的制作方法.pdf

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本发明涉及一种提升多次外延超结品质因数的器件的制作方法。本发明包括提供第一导电类型硅衬底；在所述第一导电类型衬底表面制作第一导电类型外延层；在所述第一导电类型外延层内形成交替分布的第二导电类型柱和第一导电类型柱；在所述第二导电类型柱上方形成第二导电类型体区和位于第二导电类型体区内的第一导电类型源区；在所述沟槽表面生长一层氧化层，在所述氧化层上沉积导电多晶硅，在所述沟槽内得到栅氧化层及位于栅氧化层上的栅极多晶硅；在器件表面通过光刻形成沟槽，所述沟槽分别延伸至所述第一导电类型源区和所述第二导电类型体

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117059485 A (43)申请公布日 2023.11.14 (21)申请号 202311028751.X H01L 21/67 (2006.01) (22)申请日 2023.08.