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本实用新型涉及半导体集成电路引线框架蚀刻制造技术领域，尤其涉及高密度集成电路引线框架设备的退膜缸机构，包括可转动的退膜缸组件，退膜缸组件包括滚筒，滚筒的筒壁为网状结构，滚筒的一端成型有进液口，另一端同轴成型有出料口，进液口和出料口之间形成离心通道，离心通道的直径由进液口到出料口的不断增大；脱膜后的废液通过进液口进入到滚筒，滚筒不断转动，产生离心力，脱膜液中的将膜和液体分离，使得液体能够循环利用；由于离心通道的直径由进液口到出料口的不断增大，因此废液经过的区域离心力不断增大，使得废液中的液体能够逐
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 220021051 U
(45)授权公告日 2023.11.14
(21)申请号 202321194245.3
(22)申请日 2023.05.17
(73)专利权人 东莞奥美特科技有限公司
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