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高电子迁移率晶体管结构及制造方法.pdfVIP

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  • 2023-11-15 发布于四川
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高电子迁移率晶体管结构及制造方法.pdf

    一种高电子迁移率晶体管结构制造方法，通过控制钝化层及阻障层于同一生长室中无间断地生长，以避免因温度、压力或气氛的剧烈变化而使钝化层于成长过程中产生缺陷或是导致钝化层及阻障层间的接口质量劣化，进而能提供高质量的钝化层及高质量的钝化层与阻障层间的接口，以达到提升高电子迁移率晶体管结构的效能的目的。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117059487 A (43)申请公布日 2023.11.14 (21)申请号 202211677457.7 H01L 29/10 (2006.01) (22)申请日 2022.12.

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