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半导体结构的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-11-15 发布于四川
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半导体结构的制备方法.pdf

    本公开提供一种具有不同尺寸通孔的半导体结构的制备方法。该制备方法包括：提供一第一晶圆；设置一第二晶圆在该第一晶圆上；形成一钝化层在该第二晶圆上；形成一第一导电通孔，经由该第二晶圆与该钝化层以及部分经由该第一晶圆延伸，并具有被该第二晶圆与该钝化层所围绕的一第一宽度；以及形成一第二导电通孔，经由该钝化层且部分经由该第二晶圆延伸，并具有被该第二晶圆所围绕的一第二宽度以及被该钝化层所围绕的一第三宽度；其中该第一宽度大致等于该第三宽度，且不同于该第二宽度。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117059494 A (43)申请公布日 2023.11.14 (21)申请号 202310100585.3 H01L 23/48 (2006.01) (22)申请日 2023.02.

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