一种图案形成方法、图案以及半导体器件.pdfVIP

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2023-11-15 发布于四川
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一种图案形成方法、图案以及半导体器件.pdf

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本发明公开了一种图案形成方法、图案以及半导体器件，已解决采用现有的图案形成方法不能获得精细度较高、深度更深的图案。其中，图案形成方法包括包括：提供一衬底，在所述衬底上形成有膜层、位于所述膜层上的牺牲层；通过光刻、刻蚀工艺图形化所述牺牲层以形成牺牲线；在所述膜层以及牺牲层上形成SiON阻挡层；通过回刻工艺去除膜层以及牺牲线表面的SiON阻挡层以在所述牺牲线两侧分别形成侧墙；以所述侧墙为掩模，通过刻蚀去除所述膜层以及牺牲线以暴露衬底；去除侧墙。采用本发明提供的图案形成方法在同等条件下，形成的图案较现

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117059479 A (43)申请公布日 2023.11.14 (21)申请号 202210487142.X (22)申请日 2022.05.06 (71)申请人成都高真科技有限公司地址 61