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一种LED外延结构生长方法，在衬底表面依次层叠生长的第一缓冲层、N型半导体层、第二缓冲层、高温量子阱层、低温多量子发光层、P型半导体层，所述低温多量子发光层的生长方法为：循环生长n个多量子阱发光层；n个多量子阱发光层包含n对多量子阱层和多量子垒层，且n个多量子阱层和多量子垒层的温度递减生长。本发明在生长低温多量子发光层时，设置依次生长多量子阱层的每个阱温依次递减0.5～1度，该阱温条件下生长的多量子阱层，会使靠前的阱能带高，靠后的能带低，从而后面的能隙较小，使得电子空穴更易复合；并且电子和空穴集
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115347093 A
(43)申请公布日 2022.11.15
(21)申请号 202210951603.4
(22)申请日 2022.08.09
(71)申请人 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
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