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一种低温相BBO晶体生长装置及生长方法,该生长方法利用圆锥型铂金盖、铂金坩埚、倒圆锥铂金套筒和铂金线圈组合得到低温相BBO晶体生长装置,克服常规低温相BBO晶体生长全过程温场不能调节的缺点,生长初期利用圆锥型铂金盖和倒圆锥铂金套筒的热辐射,形成特殊温场,提高温度梯度,减少包络形成,同时利用套筒的束缚生长,保证晶体向下生长,得到厚度30mm的毛坯,可切晶体器件长度大于30mm;晶体生长后期通过线圈通气,保证晶体生长后期熔体加快对流,增加梯度,减少杂质的进入,保证晶体高质量生长,得到中间区域包络大大
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115467010 A
(43)申请公布日 2022.12.13
(21)申请号 202211169844.X
(22)申请日 2022.09.26
(71)申请人 福建福晶科技股份有限公司
地址 3
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