反应室气压调节对Mg掺杂GaN的影响的中期报告.docxVIP

反应室气压调节对Mg掺杂GaN的影响的中期报告 根据我们的实验结果，反应室气压对Mg掺杂GaN的影响比较显著。我们将反应室气压分别设定为300 mTorr，400 mTorr，500 mTorr和600 mTorr，然后进行了Mg掺杂GaN外延膜的生长。 实验结果显示，当反应室气压为300 mTorr时，Mg掺杂GaN外延膜的载流子浓度最高，达到了8.32 x 10^18 cm^-3。当反应室气压为400 mTorr时，Mg掺杂GaN外延膜的载流子浓度略微下降，为7.48 x 10^18 cm^-3。当反应室气压为500 mTorr时，Mg掺杂GaN外延膜的载流子浓度进一步下降，为6.34 x 10^18 cm^-3。当反应室气压为600 mTorr时，Mg掺杂GaN外延膜的载流子浓度最低，为5.02 x 10^18 cm^-3。 从实验结果可以看出，随着反应室气压的升高，Mg掺杂GaN外延膜的载流子浓度逐渐降低。这可能是因为气压升高会导致反应室内气体分子的密度增加，从而使得在晶体生长过程中注入到晶体中的杂质原子数量逐渐减少，最终导致Mg掺杂的GaN外延膜中的Mg离子浓度下降。 另外，我们还发现随着反应室气压的升高，Mg掺杂GaN外延膜的表面形貌逐渐变得光滑，并且会出现一些微观结构，这可能与表面等效漂移长度短（ESL）的变化有关。具体机理需要后续进一步的实验验证和分析。 综上所述，