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模拟电子技术
试题汇编
成都理工大学工程技术学院
电子技术基础教研室
2010-9
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模拟电子技术试题汇编
第一章 半导体器件
一、填空题
1、本征硅中若掺入 5 价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载
流子应是 空穴 。
2、 在 N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在 P 型半导体中，电
子浓度 小于 空穴浓度。
3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_
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