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本实用新型公开了一种基于SLCC的宽带芯片电容器和集成电路芯片，其中宽带芯片电容器包括第一金属层、介质层、第二金属层和半导体层，介质层位于第一金属层和第二金属层之间，第一金属层为环状，围绕在半导体层外，半导体层的外缘与第一金属层的内环相接，第一金属层的面积小于介质层的面积。本实用新型通过半导体层的设计，利用其导电率较低的特性，使SLCC呈现一定的电阻特性，表面其他部分仍旧采用导电率较高的金属层保证其电容特性。这种结构在一定程度上克服了传统电容带宽限制问题，使单个SLCC电容以及其所在的芯片能覆盖
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 220041605 U
(45)授权公告日 2023.11.17
(21)申请号 202321526050.4
(22)申请日 2023.06.15
(73)专利权人 优镓科技（苏州）有限公司
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