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- 2023-11-18 发布于四川
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本发明公开了一种具有低漏电缓冲层结构的高电子迁移率晶体管，包括：01衬底、02缓冲层、03漏电阻挡层、04沟道层、05势垒层、06钝化层、07源极、08栅极和09漏极。其中漏电阻挡层是由离子注入形成的高阻区，因此可以阻止载流子在高电场作用下从源极通过缓冲层流向衬底或漏极，从而提高器件的击穿电压。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117080240 A
(43)申请公布日 2023.11.17
(21)申请号 202310833180.0
(22)申请日 2023.07.07
(71)申请人 电子科技大学
地址 611731
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