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本实用新型公开了一种X切铌酸锂IQ调制器，其光波导在射频电极区域中靠近射频电极火线一侧，并在射频电极和光波导之间设置缓冲层；同时，在偏置电极和相位电极作用区域中，保持光波导位于火线与地线的中心位置上，但在光波导与偏置电极之间、光波导与相位电极之间不使用氧化硅等缓冲层。因此，可以在不影响带宽的同时，降低X切铌酸锂IQ调制器的射频半波电压，有效降低偏置电极和相位电极的半波电压。通过在MZ调制器中引入分段结构，借助余弦曲线形状的过渡段，可以增加MZ调制器结构在直流偏置段中的两臂间距，有效降低半波电压。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 220040906 U
(45)授权公告日 2023.11.17
(21)申请号 202321521609.4
(22)申请日 2023.06.14
(73)专利权人 济南量子技术研究院
地址 25
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