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本发明提供一种集成器件的等电容分压终端结构，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型源接触区，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型源接触区，第二导电类型漏接触区；槽介质层、栅氧化层、场氧化层；漂移区多晶硅电极、栅多晶硅；通孔，金属等势环；终端把纵向场板部分断开，形成连续的纵向场板与分立的纵向场板，通过改变加电位电容极板面积来改变电容差异。其中分立的纵向场板通过通孔接电位到等势环，连续的纵向场板浮空，浮空的连续纵向场板间电容相当于每两个分立纵向场板之间的串联电容，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117080241 A
(43)申请公布日 2023.11.17
(21)申请号 202310944642.6
(22)申请日 2023.07.28
(71)申请人 电子科技大学
地址 611731
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