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本发明属于信息安全器件制备技术领域，具体涉及一种基于电纺纤维表面压印纳米光栅的混沌超表面芯片以及采用该芯片生成与重构密钥的方法。所述混沌超表面芯片是在静电纺丝纤维膜表面上构筑光栅超表面后得到，所述混沌超表面芯片包括由底向顶依次设置的衬底层、反射层、静电纺丝纤维层、纳米光栅层、染料层以及保护层。采用本发明制备得到的芯片可以生成和重构随机性和唯一性较高的密钥，该密钥熵源为两个过程共同作用：静电纺丝过程的液滴在静电场中失稳拉伸和弯曲以及纳米压印过程中的共形转移率的微曲面依赖性，可以生成超高空间存储容量
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117075241 A
(43)申请公布日 2023.11.17
(21)申请号 202310972337.8 B82Y 20/00 (2011.01)
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