原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本申请实施例提供了一种基于磁隧道结阵列图像特征提取方法和装置，方法包括：训练阶段，基于预设电压‑像素映射关系、电压‑电流映射关系和预设卷积核，得到像素‑电流映射关系；所述卷积核为磁隧道结阵列；特征提取阶段，将待处理图像的像素映射为电压；以所述电压为输入，基于所述卷积核，输出所述待处理图像对应的电流坐标；根据所述电流坐标和所述像素‑电流映射关系，确定所述待处理图像卷积后的像素。本申请提供的技术方案用以解决现有技术存在着写入速率慢、能耗高、及可靠性不佳等问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117078949 A
(43)申请公布日 2023.11.17
(21)申请号 202311114729.7
(22)申请日 2023.08.31
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
地址 1
文档评论（0）