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- 2023-11-18 发布于四川
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本发明提供一种紫外LED外延片及其制备方法、LED芯片，通过设置周期性交替生长的量子阱层和量子垒层，其中，量子阱层和量子垒层均为AlGaN层，生长量子阱层的过程中，控制Al组分进行三个阶段的变化；第一阶段，控制Al组分由初始组分逐渐降低至第一组分；第二阶段，控制Al组分至少存在一个变化周期，其中，一个变化周期为由第一组分阶段性增长至第二组分，稳定预设时间后，逐渐降低至第一组分；第三阶段，控制Al组分由第一组分阶段性增长至初始组分，具体的，由于引入一个新型的量子阱结构，既可以提高限制电子溢流的作用
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117080328 A
(43)申请公布日 2023.11.17
(21)申请号 202311317237.8
(22)申请日 2023.10.12
(71)申请人 江西兆驰半导体有限公司
地址 3
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