半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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2023-11-22 发布于四川
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半导体装置及其制造方法.pdf

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本申请涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置可包括：第一导线；第二导线，其被设置为与第一导线间隔开；可变电阻层，其设置在第一导线和第二导线之间；以及电极层，其设置在第一导线和可变电阻层之间的第一位置或可变电阻层和第二导线之间的第二位置中的至少一个处，并且包括厚度相关金属‑绝缘体转变TDMIT材料，该TDMIT材料表现出取决于该TDMIT材料的厚度的电阻。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117098403 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202310076640.X H10N 70/20 (2023.01) (22)申请日 2023.01.