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一种碳化硅生长坩埚及碳化硅生长装置.pdfVIP

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  • 2023-11-22 发布于四川
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一种碳化硅生长坩埚及碳化硅生长装置.pdf

    本实用新型提供了一种碳化硅生长坩埚及碳化硅生长装置，涉及碳化硅生长设备技术领域。该碳化硅生长坩埚包括坩埚盖组件、导流组件、挡板组件和坩埚主体。坩埚主体包括内坩埚和外坩埚；内坩埚包括第一容置部和第一连接部，第一容置部用于装盛碳化硅原料。外坩埚包括第二容置部和第二连接部。第一容置部设置在第二容置部内部，第二容置部的内侧壁与第一容置部的外侧壁间隔设置。挡板组件、导流组件和坩埚盖组件依次自下而上地设置在第一连接部的上方。本实用新型提供的碳化硅生长装置采用了上述的碳化硅生长坩埚。本实用新型提供的碳化硅生长

    (19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 220057111 U (45)授权公告日 2023.11.21 (21)申请号 202321359847.X (22)申请日 2023.05.31 (73)专利权人 通威微电子有限公司 地址 61

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