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- 2023-11-22 发布于四川
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本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于实现沟道材料包括除硅之外且载流子迁移率较高的其它半导体材料的环栅晶体管的制造，提高其工作性能。所述环栅晶体管包括：半导体基底，形成在半导体基底上的源区、漏区和至少一层纳米结构，以及环绕在每层纳米结构外周的栅堆叠结构。其中，上述至少一层纳米结构位于源区和漏区之间。每层纳米结构包括第一材料部、以及位于第一材料部沿厚度方向两侧的第二材料部。每层第一材料部和每层第二材料部均分别与源区和漏区接触。第二材料部的至少部分材料不同于第一材料部的材料
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117096196 A
(43)申请公布日 2023.11.21
(21)申请号 202311161628.5
(22)申请日 2023.09.08
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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