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- 2023-11-22 发布于四川
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本申请涉及一种具有高DV/DT能力的功率开关装置及制造这种装置的方法。功率开关装置包括具有有源区和非有源区的半导体层结构。有源区包括多个单位单元，并且非有源区包括在半导体层结构上的场绝缘层和与半导体层结构相对地在场绝缘层上的栅极焊盘。栅极绝缘图案设在有源区和场绝缘层之间的半导体层结构上，并且至少一个源极/漏极触件被设为通过栅极焊盘和场绝缘层到达半导体层结构的体阱延伸部。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117096190 A
(43)申请公布日 2023.11.21
(21)申请号 202311065457.6 H01L 29/739 (2006.01)
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