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- 2023-11-22 发布于四川
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本实用新型涉及一种感光器件,借助光从光密介质到光疏介质的全反射避免光串扰,减少了像元隔离部件中金属填充物的深度,从而降低隔离部件的宽度,大大提高了保证了芯片尺寸的有效利用。具体的,本实用新型包括至少两个相邻像元,以及隔离所述两个相邻像元的隔离部件,所述隔离部件由介电材料构成,且所述介电材料中填充有金属,金属的填充深度基于全反射原理金属进行设置。通过本实用新型,可以减少DTI的宽度,从而提高了像元阵列的填充系数。且由于隔离区面积的减少,大大缩小了芯片面积。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 220065721 U
(45)授权公告日 2023.11.21
(21)申请号 202320285564.9
(22)申请日 2023.02.22
(73)专利权人 浙江大学
地址 310058
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