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一种适用于NMOS开关的衬底偏置电路.pdfVIP

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  • 2023-11-22 发布于四川
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一种适用于NMOS开关的衬底偏置电路.pdf

    本发明公开了本发明提出了一种适用于NMOS开关的衬底偏置电路，电路采用电压负反馈结构，保证输出电压始终跟随输入电压，在整个输入电压范围内消除了NMOS开关的体效应，提高了NMOS开关的过驱动电压，降低了噪声电压，减小了输入信号的负载效应；同时，衬底偏置电路的输出极点为主极点，通过在输出极点设置滤波补偿电容，消除了混入输入信号中的高频毛刺和干扰，保证NMOS开关的衬底电压的精度。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117097316 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202311109755.0 (22)申请日 2023.08.31 (71)申请人 中国兵器工业集团第二一四研究所

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